الوصف
IGBT Transistor Single DIP
عبر المرجع
MBQ60T65PES, FGY160T65SPD-F085, FGH60T65SQD-F155, FGH60T65SHD-F155, AFGY160T65SPD-B4
الحالية-جامع (Ic) (ماكس)
120A
الجهد-جامع باعث انهيار (ماكس)
650V
الحالية-جامع قطع (ماكس)
240A
درجة حرارة التشغيل
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
IGBT نوع
Trench Field Stop
Vce (على) (ماكس) @ Vge ، Ic
2.1V @ 15V, 60A
Switching Energy
227uJ (on), 100uJ (off)
Td (on/off) @ 25℃
20.8ns/102ns
Test Condition
400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
34.6 ns