جميع الفئات
مختارات مميزة
    Trade Assurance
    مركز المشتري
    مركز المساعدة
      احصل على التطبيق
      انضم إلى المورِّدين

      قناة-P من Jeking بقوة 20 فولت و8 أمبير وقدرة 4.2 وات مركبة سطحية 6-TSOP IC MOSFET SI3407DV-T1-GE3

      لا توجد تقييمات حتى الآن
      Shenzhen Jeking Electronic Corp.مورِّد متعدد التخصصات9 yrsCN
      حوِّم بالماوس للتكبير

      السمات الأساسية

      المواصفة الأساسية في الصناعة

      رقم الموديل
      SI3407DV-T1-GE3
      نوع
      IGBT الترانزستور
      اسم العلامة التجارية
      original brand
      نوع الحزمة
      سطح جبل

      سمات أخرى

      تصاعد نوع
      SMD/SMT
      الوصف
      ترانزستور
      مكان المنشأ
      California, United States
      حزمة/حالة
      إلى-247-3
      d/ c
      الأحدث
      الوضعية
      إكليترونيك
      Supplier Type
      الصانع الأصلي, ODM, وكالة, التجزئة
      عبر المرجع
      -
      وسائل الإعلام المتاحة
      ورقة البيانات, صورة
      品名
      SI3407DV-T1-GE3
      الحالية-جامع (Ic) (ماكس)
      -
      الجهد-جامع باعث انهيار (ماكس)
      -
      Vce التشبع (ماكس) @ Ib ، Ic
      -
      الحالية-جامع قطع (ماكس)
      -
      DC الربح الحالي (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
      -
      الطاقة-ماكس
      -
      تردد-الانتقال
      -
      درجة حرارة التشغيل
      -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
      Mounting Type
      سطح جبل
      المقاوم-قاعدة (R1)
      -
      المقاوم-باعث قاعدة (R2)
      -
      FET نوع
      -
      FET ميزة
      القياسية
      استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
      -
      الحالي المستمر استنزاف (Id) @ 25 °C
      -
      Rds على (ماكس) @ معرف ، Vgs
      -
      Vgs (الرابعة) (ماكس) @ Id
      -
      بوابة تهمة (Qg) (ماكس) @ Vgs
      -
      السعة المدخلات (كيبك) (ماكس) @ Vds
      -
      تردد
      -
      تصنيف الحالية (أمبير)
      -
      الضوضاء الشكل
      -
      السلطة الإخراج
      -
      الجهد تقييما
      -
      محرك الجهد (ماكس Rds على ، دقيقة Rds على)
      -
      Vgs (ماكس)
      -
      IGBT نوع
      -
      التكوين
      واحد
      Vce (على) (ماكس) @ Vge ، Ic
      -
      السعة المدخلات (Cies) @ Vce
      -
      المدخلات
      -
      NTC الثرمستور
      -
      الجهد-انهيار (V (BR) الشاباك)
      -
      الحالي استنزاف (فاعلية النظام) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      الحالي استنزاف (Id)-ماكس
      -
      الجهد-قطع (VGS إيقاف) @ Id
      -
      المقاومة-RDS (على)
      -
      الجهد
      -
      الجهد والمخرجات
      -
      الجهد-تعويض (Vt)
      -
      الحالي-بوابة إلى الأنود تسرب (Igao)
      -
      الحالي-وادي (Iv)
      -
      الحالي-الذروة
      -
      Applications
      IC
      رقم الموديل
      SI3407DV-T1-GE3
      نوع التركيب
      سطح جبل
      حزمة/حالة
      SOT-23-6 نحيف ، من
      حالة الجزء
      نشط
      نوع FET
      قناة P
      التكنولوجيا
      موسيت (أكسيد معدني)
      VDSS
      20 فولت
      حزمة جهاز المورد
      6-توب
      Vgs (ماكس)
      ± 12 فولت
      رقم المنتج الأساسي
      سايا 3407
      عرض أكثر

      وقت الانتظار

      الكمية (قطعة)1 - 10000 > 10000
      الوقت المقدر (بالأيام)5سيتم التفاوض عليه

      التخصيص

      Customized packaging
      وردر: 99999
      لمزيد من تفاصيل التخصيص، مراسلة المورِّد

      أوصاف المنتجات من المورِّد

      100 - 499 قطعة
      ‏٣٫٩٠ US$
      500 - 999 قطعة
      ‏٣٫٦٠ US$
      >= 1000 قطعة
      ‏٣٫٥٠ US$

      الأشكال

      إجمالي الخيارات:
      تحديد الآن

      الشحن

      لا تتوفر حلول شحن للكمية المحددة في الوقت الحالي

      Membership benefits

      قسائم بقيمة 500 دولارعرض المزيد

      سُبل الحماية لهذا المنتج

      مدفوعات آمنة

      يتم تأمين كل دفعة تقدمها على Alibaba.com باستخدام تشفير SSL صارم وبروتوكولات حماية بيانات PCI DSS

      سياسة استرداد الأموال

      طالِب باسترداد الثمن إذا لم يُشحن طلبك، أو فُقد، أو وصل مع وجود مشكلات في المنتج
      تحمي Alibaba.com جميع طلباتك التي تقدمها وتدفع ثمنها على المنصة باستخدام