جميع الفئات
مختارات مميزة
    Trade Assurance
    مركز المشتري
    مركز المساعدة
      احصل على التطبيق
      انضم إلى المورِّدين

      موسيت أصلي MOSFET sgt60fd1pn صوفي IGBT 60A

      لا توجد تقييمات حتى الآن1503 تُباع
      Shenzhen Hongfang Micro Electronics Co., Ltd.4 yrsCN
      حوِّم بالماوس للتكبير

      السمات الأساسية

      المواصفة الأساسية في الصناعة

      رقم الموديل
      SGT60N60FD1PN
      نوع
      MOSFET
      اسم العلامة التجارية
      Original
      نوع الحزمة
      سطح جبل

      سمات أخرى

      تصاعد نوع
      -
      الوصف
      IGBT MOSFET
      مكان المنشأ
      Germany
      حزمة/حالة
      TO-3P
      نوع
      -
      سلسلة
      -
      d/ c
      2023+
      الوضعية
      MOSFET سائق
      Supplier Type
      الصانع الأصلي
      وسائل الإعلام المتاحة
      ورقة البيانات, صورة
      品名
      mosfet IGBT 600V 60A
      الجهد-جامع باعث انهيار (ماكس)
      -
      Vce التشبع (ماكس) @ Ib ، Ic
      -
      DC الربح الحالي (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
      -
      درجة حرارة التشغيل
      -55°C~150°C (TJ)
      Mounting Type
      سطح جبل
      المقاوم-قاعدة (R1)
      -
      المقاوم-باعث قاعدة (R2)
      -
      FET ميزة
      -
      استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
      600V
      الحالي المستمر استنزاف (Id) @ 25 °C
      60A
      Rds على (ماكس) @ معرف ، Vgs
      -
      Vgs (الرابعة) (ماكس) @ Id
      -
      بوابة تهمة (Qg) (ماكس) @ Vgs
      -
      السعة المدخلات (كيبك) (ماكس) @ Vds
      -
      تردد
      -
      تصنيف الحالية (أمبير)
      --
      الضوضاء الشكل
      -
      السلطة الإخراج
      -
      الجهد تقييما
      -
      محرك الجهد (ماكس Rds على ، دقيقة Rds على)
      -
      Vgs (ماكس)
      -
      IGBT نوع
      -
      التكوين
      -
      Vce (على) (ماكس) @ Vge ، Ic
      -
      السعة المدخلات (Cies) @ Vce
      -
      المدخلات
      -
      NTC الثرمستور
      -
      الجهد-انهيار (V (BR) الشاباك)
      -
      الحالي استنزاف (فاعلية النظام) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      الحالي استنزاف (Id)-ماكس
      -
      الجهد-قطع (VGS إيقاف) @ Id
      -
      المقاومة-RDS (على)
      -
      الجهد
      -
      الجهد والمخرجات
      -
      الجهد-تعويض (Vt)
      -
      الحالي-بوابة إلى الأنود تسرب (Igao)
      -
      الحالي-وادي (Iv)
      -
      الحالي-الذروة
      -
      Applications
      -
      الترانزستور نوع
      -

      التعبئة والتغليف والتوصيل

      تفاصيل التعبئة والتغليف
      جودة الخدمة جميع الخدمات ذات الأولوية
      بيع وحدات:
      عنصر واحد
      حزمة واحدة الحجم:
      5X5X1 سم
      واحد الوزن الإجمالي:
      0.010 كجم
      عرض أكثر

      وقت الانتظار

      الكمية (قطعة)1 - 200000 > 200000
      الوقت المقدر (بالأيام)5سيتم التفاوض عليه

      التخصيص

      Customized logo
      وردر: 10
      لمزيد من تفاصيل التخصيص، مراسلة المورِّد

      أوصاف المنتجات من المورِّد

      أدنى كمية طلب: 100 قطعة
      ‏١٫١٠ US$

      الأشكال

      إجمالي الخيارات:
      تحديد الآن

      الشحن

      Membership benefits

      استرداد ثمن سريععرض المزيد

      سُبل الحماية لهذا المنتج

      مدفوعات آمنة

      يتم تأمين كل دفعة تقدمها على Alibaba.com باستخدام تشفير SSL صارم وبروتوكولات حماية بيانات PCI DSS

      سياسة استرداد الأموال وEasy Return

      طالِب باسترداد الثمن إذا لم يُشحن طلبك، أو فُقد، أو وصل مع وجود مشكلات في المنتج، بالإضافة إلى عمليات إرجاع مجانية إلى مستودعات محلية لوجود عيوب
      تحمي Alibaba.com جميع طلباتك التي تقدمها وتدفع ثمنها على المنصة باستخدام