الوصف
escription The SGT60N60FD1PN/P7 insulated gate bipolar transistor is made by the field stop process, with low conduction loss and switching loss
مكان المنشأ
Guangdong, China
الوضعية
UPS SMPS PFC and other fields
Supplier Type
الصانع الأصلي, وكالة, Other
وسائل الإعلام المتاحة
ورقة البيانات, Other
الحالية-جامع (Ic) (ماكس)
600V
الجهد-جامع باعث انهيار (ماكس)
60A
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600V
الحالي المستمر استنزاف (Id) @ 25 °C
60A
محرك الجهد (ماكس Rds على ، دقيقة Rds على)
/
Applications
UPS SMPS PFC and other fields